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        晶圓應力雙折射測量?jì)x

        • 型 號:PA-110-t
        • 訪(fǎng)問(wèn)次數:3298
        • 更新時(shí)間:2024-09-03
        • 價(jià)   格:

        晶圓應力雙折射測量?jì)xPA-110-T,Z大可測8英寸Wafer、藍寶石、SiC晶圓等結晶缺陷的評估,藍寶石或SiC等透明晶圓的結晶缺陷,會(huì )直接影響到產(chǎn)品的性能,所以缺陷的檢測和管理是制造過(guò)程中不可欠缺的重要環(huán)節,目前為止,產(chǎn)線(xiàn)上的缺陷管理,多是使用偏光片以目視方式進(jìn)行缺陷檢測,但是這樣的檢查方式,因無(wú)法將缺陷量化,當各批量間產(chǎn)生變動(dòng)或者缺陷密度緩慢增加時(shí),就無(wú)法以目視檢查的方式正確找出缺陷。

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        晶圓應力雙折射測量?jì)x可測8英寸Wafer、藍寶石、SiC晶圓等結晶缺陷的評估 藍寶石或SiC等透明晶圓的結晶缺陷,會(huì )直接影響到產(chǎn)品的性能,所以缺陷的檢測和管理,是制造過(guò)程中不可欠缺的重要環(huán)節。目前為止,產(chǎn)線(xiàn)上的缺陷管理,多是使用偏光片,以目視方式進(jìn)行缺陷檢測,但是,這樣的檢查方式,因無(wú)法將缺陷量化,當各批量間產(chǎn)生變動(dòng)或者缺陷密度緩慢增加時(shí),就無(wú)法以目視檢查的方式正確找出缺陷。

        晶圓應力雙折射測量?jì)xPA-110-T將特殊的高速偏光感應器與XY stage 結合起來(lái), 8英寸晶圓僅需5分鐘,即可取得整面的雙折射分布資料。

        所以由定量化的結晶缺陷評估,提高雙折射品質(zhì)的穩定性。

        Wafer整面的雙折射數據,可將結晶缺陷程度數值化。

        特點(diǎn):

        1,XY自動(dòng)Stage 拼貼功能

        針對大尺寸的Wafer 數據,以拼貼方式自動(dòng)合成。

        2,使用大口徑遠心鏡頭

        以垂直光線(xiàn)進(jìn)行測量,因不受視角影響,連周邊區域都可高精度測量。

        測量原理

        當光線(xiàn)穿透雙折射特性的透明物質(zhì)時(shí),光的偏光狀態(tài)會(huì )產(chǎn)生變化(光彈性效應)。換句話(huà)說(shuō),比較光穿透透明物體前與后的偏光狀態(tài),即可評估物質(zhì)的雙折射。

        該設備裝配的偏光感應器,使用了本司*的Photonic結晶組裝而成, 能瞬間將偏光信息以影像方式保存,再搭配專(zhuān)屬的演算,影像處理軟件,能將雙折射分布數據定量化,使得分析變得更加便利。

        可觀(guān)察的晶圓尺寸與貼合影響。

        自動(dòng)影響貼合功能,可觀(guān)察8英寸Wafer。

        φ 8 inch(4×5)

        PA-110-T 規格:

        項目

        規格

        測量范圍

        0~130nm

        重復精度

        <1nm

        偏光像素

        1120×868pixels

        測量波長(cháng)

        520nm

        尺寸

        如下圖

        電源

        AC100~240v 50/60HZ

        軟件

        PA-110-Rasterscan, PA-View

        其他配件

        臺式電腦


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