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        ME-210-T膜厚測量?jì)x

        • 型 號:
        • 訪(fǎng)問(wèn)次數:1979
        • 更新時(shí)間:2024-09-03
        • 價(jià)   格:

        ME-210-T膜厚測量?jì)x為一種光學(xué)系膜厚測量裝置,這個(gè)裝置的特點(diǎn)是可以高精度測量1nm一下的極薄膜,也適合測量玻璃等透明基板上的薄膜。ME-210-T 活用了本公司*的偏光Senor 技術(shù),將不能變?yōu)榭赡?,以往的技術(shù)是無(wú)法測量0.5mm厚的玻璃基板,在這項技術(shù)下,可進(jìn)行極薄膜的高精度測量,舉例來(lái)說(shuō)顯示器用的ITO膜或配向膜的評估,也可運用ME-210-T輕松達成。

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        ME-210-T膜厚測量?jì)x適用透明基板的高速Mapping橢偏儀,可測量透明基板上的光阻膜及配向膜分布。

        橢偏儀為一種光學(xué)系膜厚測量裝置,膜厚測量?jì)x這個(gè)裝置的特點(diǎn)是可以高精度測量1nm一下的極薄膜,也適合測量玻璃等透明基板上的薄膜。

        ME-210-T膜厚測量?jì)x用了本公司*的偏光Senor 技術(shù),將不能變?yōu)榭赡?,以往的技術(shù)是無(wú)法測量0.5mm厚的玻璃基板,在這項技術(shù)下,可進(jìn)行極薄膜的高精度測量,舉例來(lái)說(shuō)顯示器用的ITO膜或配向膜的評估,也可運用ME-210-T輕松達成。

        ME-210-T的高精度膜厚分布資料,定會(huì )對先進(jìn)的薄膜產(chǎn)品的生產(chǎn)有的用途。


        特點(diǎn)

        1,高效的測量速度(每分約1000點(diǎn):)可短時(shí)間內取得高密度的面分布數據。

        2,微小領(lǐng)域量測(20un左右)可簡(jiǎn)單鎖定&測量任一微小區域。


        3,可測量透明基板

        適用于解析玻璃基板上的極薄膜。


        測量實(shí)例

        涂布膜邊緣擴大測量

        可階段性擴大微小領(lǐng)域,然后獲得詳細的膜厚分布數據。

        GaAs Wafer 上酸化膜厚的分布測量

        縮小膜厚顯示范圍,膜厚差距不大的樣品,也可以簡(jiǎn)單評估、比較其分布狀況。


        設備參數

        項目

        規格

        光源

        半導體激光(636nm、class2)

        小測量領(lǐng)域

        廣域模式:0.5mm×0.5mm

        高精細模式:5.5um×5.5um

        入射角

        70『deg』

        測量再現性

        膜厚:0.1nm 折射率:0.001     ※1

        大測量速度

        1000point/min(廣域模式)

        5000point/min(高精密模式)

        載物臺

        行程:XY200mm以上

        大移動(dòng)速度:約40mm/scc

        尺寸/重量

        約650×650×1740mm(W×D×H)/約200kg

        電源

        AC100V

        備注

        ※1:此數值是以廣域模式測量SiO2膜(膜厚約100mm)其中一點(diǎn),重復測量100次后的標準偏差值




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